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行业新闻

国产存储器芯片,速度将是现在的1000倍

作者: 深圳市中建南方环境股份有限公司 发表时间:2018-05-16 13:55:47浏览量:609

在4月上旬,长江存储武汉基地也正式引进了芯片生产机,这也标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。中国首批拥有完全自主知识产权的32层 3D NAND闪存芯片很可能将于年内量产。
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这款国产存储器芯片,速度将是现在的1000倍

   导读: 在4月上旬,长江存储武汉基地也正式引进了芯片生产机,这也标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。中国首批拥有完全自主知识产权的32层 3D NAND闪存芯片很可能将于年内量产。

   据报道,华中科技大学光电学院副院长缪向水及其团队正在研制一款基于相变存储器的3D XPOINT存储技术。他估计,在这项技术基础上研发的芯片,其读写速度会比现在快1000倍,可靠性也将提高1000倍。

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   “芯片是信息社会的粮食,其中存储器芯片是应用最广泛的,市场最大的芯片,所有的电子产品,包括手机、相机、电脑都离不开它。当前,我国每年进口额高达2600亿美元,其中的四分之一是存储器,95%的存储器芯片依靠进口。”缪向水指出。而要打破这一现状,并不容易。

   “芯片是一个高度复杂的科技产品,5毫米见方的硅片上,电路只有头发的几百分之一粗细,肉眼无法看到,每个存储器加工过程有66步工艺,一步都不能错,且芯片加工设备昂贵,流片出错的成本极高,一不小心损失可达上千万元。”他解释道。

   据悉,当记者于晚上10点抵达实验室时,缪向水及其100人的团队依然在挑灯夜战,全力研发“下一代存储芯片”。

   此外,在4月上旬,长江存储武汉基地也正式引进了芯片生产机,这也标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。中国首批拥有完全自主知识产权的32层 3D NAND闪存芯片很可能将于年内量产。

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